8月25日消息 据媒体 Digitimes 昨日报道，长鑫存储今年年底产能可达12万片，预计将超越南亚科技，届时市占率将仅次于三大巨头。此外，高低温湿热试验箱长鑫 17nm工艺即将出世，明年可实现大规模量产。

　　报道称，三综合试验箱长鑫存储 19nm DRAM 工艺已于 2020 年上半年逐步量产并顺利上市，目前产能从 2 万片已逐步扩充至 4 万片，而 17nm 技术进度符合预期，2021 年可实现量产。

　　业界传出，长鑫存储在年底产能约达 12 万片，将追上南亚科（不超过 7 万片），三综合试验箱各家存储模组为了进军中国市场，已陆续展开测试试验。

　　IT之家了解到，三综合试验箱南亚科技股份有限成立于 1995 年，致力于 DRAM 研发、高低温湿热试验箱设计、制造与销售。据 TrendForce 研究部门 DRAMeXchange 公布的全球 DRAM 商营收排名，南亚科技去年第四季度所占市场份额为 2.8%（三大商同期共计 95%），排名第四。

　　长鑫存储表示，相关产力扩产正按步就班地进行，高低温湿热试验箱预计 2021 年可转向 17nm DRAM 量产。
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