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　　南亚科技股份有限成立于1995年3月4日，致力于DRAM（动态随机存取内存）之研发、设计、制造与销售，并在美国、欧洲、日本、大陆设立营销点，其股东为台塑集团之南亚塑料股份有限。

　　该资本额403亿台币，员工人数约0人，总位于华亚科技园区，生产基地为一座八吋晶圆及一座十二吋晶圆，三综合试验箱分别位于桃园南崁及泰山南林园区。南亚科技多年来专注于研发及智慧财产权的建立，并已培养近800人的研发团队。

　　在制程进度上，南亚科技的42纳米制程技术已于2010年第四季开始量产，计划于2011年中全数可转换至42纳米(不包含部份为利基型内存产品线芯片生产为主，将于下半年导入4Gb DDR3的产品。3X纳米制程技术规划将于今(2011)年第二季导入投片。南亚科技致力拥有自主技术及经营自有品牌，并持续强化高附加价值利基型(非标准型)内存战线，期能进一步提升台湾DRAM产业在国际的竞争力。

　　为提升技术力与竞争力，南亚科技于2008年4月与美国美光(Micron)签订10年共同研发合约，共同致力于先进制程技术，开发更高附加价值产品。南亚科技与美国美光(Micron)签订50纳米以下制程技术共同开发合约，自2008年12月起共同分享华亚科技的产出。华亚科技已于2010年第四季完成50纳米技术转换，并达产能满载每月13万片之投片。华亚科技计划于2011年季开始42纳米量产，且于2011年年中完成绝大多数的产能转换。此策略联盟，与美光共同研发，同时在台湾培养本土的研发人才，使技术在台生根，以达到永续经营的目标。

　　致力于先进技术与产品的开发。同时在台湾培养本土的研发人才，使技术在台湾生根，永续发展。

　　充分利用已开发完成的先进制程技术，提升产品的价值，达到求取获利的目标。

　　跻身成为世界DRAM内存及相关产品制造服务供货商，以两位数的全球市场占有率为目标。

　　南亚科技除巩固其在标准型内存市场市占率外，更积极经营利基型（非标准型）内存市场，包括服务器用内存、消费型内存及行动式内存(Mobile RAM)三大核心产品线的研发、生产及销售。在服务器用内存及消费型内存领域已有优异成绩表现，且行动式内存领域正逐渐茁壮。预期这些高附加价值产品在2011年占总营业额比重可提高至三成以上，可为南科销售量带来逐月成长，且期许2012年能挑战营收过半的策略目标。非标准型内存利润较高且市场稳定，属高附加价值的产品，南科致力强化该内存战线，期能进一步提升台湾DRAM产业在国际的竞争力。

　　秉持台塑企业「追根究柢，实事求是」之经营理念，南科致力于拥有自主技术及经营自有品牌。

　　南科长期经营自有品牌，品牌销售占出货量超过90% ，其中OEM客户(如联想、宏碁、华硕、 HP 、 Dell等)占75%，且在供货商评比中名列前茅。

　　在台湾设立制程技术研发中心，与技术伙伴美光同步研发，并以进的技术，于的生产基地量产，获得利益。

　　南亚科技认知技术发展为经营内存产业的命脉，于2008年4月与美国美光(Micron)签订50纳米以下制程与产品共同开发合作，共同致力于先进制程与产品的开发。50纳米世代正在导入生产中，42纳米预计2010年下半年开始量产，30纳米正在研发中。我们与美光共同研发，同时在台湾培养本土的研发人才，使技术在台湾生根，以达到永续经营的目标。

　　南亚科技深知企业欲永续生存，须以顾客导向作为经营基础。我们将不断地投注于制程技术的提升，与借由有效的员工训练，使文件、操作程序、原物料、制程环境、量测仪器、与制程控制等能趋于完整与一致，以求取更高的质量保证标准，提供更优质的服务。

　　「我们秉持追根究底、三综合试验箱实事求是的精神，精益求精，以满足客户对产品质量、交期及服务的需求。」 －－－连日昌 总经理

　　提供满足客户对产品质量、交期及服务之需求为本对客户之承诺与努力达成之目标，此一承诺与目标将依ISO 9001 及 ISO/TS 16949质量管理系统为指导原则及各部门作业之依据，透过全员参与使全体人员了解并贯彻实施质量政策

　　为有效整合企业的组织、责任、程序、过程与资源等质量管理活动，作为达成既定政策及目标的手段，质量系统的建立，应满足下列的功能发展：

　　5月 南亚塑料股份有限与日本冲电气株式会社(OKI)签订16Mb DRAM技术移转合约

　　4月 与日本冲电气株式会社(OKI)、南亚塑料股份有限签订三方面忘录，三综合试验箱承接原南亚塑料与OKI 16Mb DRAM技术案之所有权利义务

　　11月 与日本冲电气株式会社(OKI)签订0.36 ~ 0.32微米(μm) 64Mb DRAM技术授权合约投资于美国硅谷成立产品设计GSI

　　11月 与IBM签订0.2~0.175微米(μm) 64~256Mb DRAM技术移转合约单月营业额突破新台币10亿元

　　12月 获得劳氏ISO-11环境系统管理认证成立美国德州休斯敦产品设计中心

　　5月 与SST签订0.25/0.18微米(μm)代工及高阶闪存共同研发合约

　　6月 全面量产0.175微米(μm) 128Mb/256Mb DRAM

　　11月 与德国英飞凌签订0.09 / 0.07微米共同研发技术合约，并合资设立12吋晶圆「华亚科技」

　　4月 高阶服务器用DDR2内存模块通过国际大认证，进军服务器用内存市场

　　12月 南科三通过英国劳氏(Lloyd’s)ISO11环境管理系统认证及OHSAS 18001安全卫生管理系统认证

　　6月 完成减资66%并增资台币122亿元，增资后资本额为台币257亿元
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