半导体封装技术相关国际学会“2015 Electronic Components and Technology Conference（ECTC）”（2015年5月26～29日，美国圣地亚哥）于美国时间2015年5月26日开幕。

　　全球的硅代工企业——台湾台积电（TSMC）在上届的“ECTC 2014”上只做了一场演讲，而本届做了四场演讲。其中两场是关于三维积层的，其余两场是关于晶圆级CSP（wafer-level chip scale package：WLCSP）的。

　　题为“A flexible interconnect technology demonstrated on a Wafer-level Chip Scale Package”的演讲（演讲序号20-2），是关于旨在提高200mm2大面积芯片的WLCSP封装可靠性的内容。台积电不仅从事半导体前工序，还在向晶圆级封装领域扩大业务，其技术水平受关注。

　　一般而言，WLCSP的芯片面积越大，封装基板与硅之间的热膨胀差所导致的应力就越大。因此，基板与WLCSP的接合处——焊球上会产生裂缝，导致封装可靠性降低。为改善这一点，原来采取的方法是在基板封装后在基板与芯片之间注入底部填充树脂来加固的。

　　与之不同的是，此次的目标是，即便是大芯片也不用注入底部填充树脂便可以确保封装可靠性。在硅芯片上呈阵列状排列焊盘（Pad)，以铜线键合形成N字形引线端子。将线头作为连接端子，在以锡膏印刷方式预涂了焊盘(land)的印刷基板上作倒装芯片接合（图1）。

　　台积电对这种样品实施了跌落试验和温度循环试验，评估了封装可靠性。高低温湿热试验箱结果表明，两项试验可靠性都得到改善，据称由此得出即使大面积芯片，也可以不用底部填充树脂就能实现出色的封装可靠性。

　　验证使用的样品是在200mm2的正方形硅芯片上，呈阵列状排列了1000多个μm间隔的圆形焊盘，并作铜线键合的。在N字形引线形成技术上，引线键合商日本KAIJO予以了帮助。

　　台积电分别评估了直径30μm和38μm两种水平铜线键合的样品。在跌落试验中，直径30μm的样品在跌落30次时出现缺陷，而直径38μm的样品的寿命是30μm的大约2倍。而在温度循环试验中，原来利用焊球封装的样品在300个周期后出现缺陷，而采用N字形铜线μm铜线μm铜线倍。

　　就这个实验结果，台积电解释说，跌落试验中粗铜线的机械强度大，不容易断，而温度循环试验中细铜线容易变形，不会发生应力集中。如图2所示，铜线的裂缝是因为应力集中于焊接处造成的。高低温湿热试验箱

　　另外，台积电介绍，在评估裸铜线种铜线的温度循环可靠性时发现：镀钯铜线的温度循环可靠性更好一些。两者的应力应变曲线不同，镀钯铜线能够承受较大应力，因此可靠性良好。

　　有听众尖锐地指出，通过N字形引线键合（过去曾称S字形引线键合或cobra conduct等）来提高封装可靠性的手段15年前就已提出，并反复评估过，台积电此次的发布的创新性在哪里？过去所做的评估样品是以Au线键合后再镀Ni的样品为主，而此次用铜线来做封装可靠性评估，其材料的不同可以说是创新吧。其评估和分析都符合逻辑，可见台积电封装技术水平的提高。（特约撰稿人：特约撰稿人：中岛宏文，IEEE电子元件、封装及制造技术学会亚太区计划主管

　　据patentlyapple报道，供应链报告指出，台积电将于2023年推出3nm制程的增强型版本，名为3nm plus，而个使用该技术的客户将是苹果。台积电并没有透露3nm plus与3nm有何区别，但预计会有更高的晶体管密度，更低的功耗和更高的主频。根据台积电的说法，与5nm工艺相比，3nm工艺可以将晶体管密度提高70%，或提高15%的性能，降低30%的功耗。此外，台积电近在2nm制程方面取得了重大的突破。预计在2023年下半年进行风险试生产，并在2024年投入量产，同时继续推进1nm工艺。

　　据台媒中时电子报报道，中国台湾环保署 16 日进行新竹科学园区宝山用地第 2 期扩建计划项目小组初审会议，其中包括台积电2 纳米的预定地。不过在激烈讨论过后，环评委员认为仍有部分内容需要开发单位补充说明，决议让此案补正资料后再审。高低温湿热试验箱竹科管理局表示，由于宝山用地一期扩建计划主要供制程研发与先期量产，为维持岛内半导体产业地位 ，因应近年 3 纳米和2 纳米制程突破，现有房已无法容纳新一代机台，园区已无适当用地。图源：腾讯台积电此前曾表示，其 2 纳米技术的研发和生产将在宝山和新竹进行，同时还进一步指出，它正计划拥有四个超大型晶圆，占地 222 英亩。据台积电预计，2023 年会

　　2纳米的预定地初审因资料未齐全被卡 /

　　据台媒中时电子报报道，中国台湾环保署16日进行新竹科学园区宝山用地第2期扩建计划项目小组初审会议，其中包括台积电2纳米的预定地。不过在激烈讨论过后，环评委员认为仍有部分内容需要开发单位补充说明，决议让此案补正资料后再审。竹科管理局表示，由于宝山用地一期扩建计划主要供制程研发与先期量产，为维持岛内半导体产业地位 ，因应近年3纳米和2纳米制程突破，现有房已无法容纳新一代机台，园区已无适当用地。

　　就在 10 日晚间，台湾省东北部海域发生芮氏规模 6.7 级地震。南亚科、台积电等商相继回应称，已恢复正常生产或对正常生产没有大碍。但 BusinessKorea 报道，业内人士指出，相关生产受挫不可避免。值得一提的是，本月早些时候，美光位于台湾地区的工因停电导致停工。根据市场研究 DRAMeXchange 的数据，DDR4 8Gb 2Mbps 的现货价格在经历了 10 周的下跌后，本月初开始反弹。业内人士称，台湾地区发生的地震和停电可能会使客户增加库存，从而避免供应发生短缺。而另一边，三星电子和 SK 海力士的芯片库存大抵有两周左右的时间，低于正常水平。在这种情况下，DRAM

　　据中国台湾地区自由时报报道，消息传出，晶圆代工产能非常吃紧，台积电将对明年12英寸接单价取消往年的折让，形同“变相涨价”，代表明年晶圆代工不只8英寸供不应求，连12英寸也相当吃紧。据传，晶圆往年都会对客户的代工价有所折让，大约3-5%不等，台积电折让比例更低，明年就没有这种好事了，只有被涨价的份；对于明年的8英寸代工价格，台积电仍维持去年硬挺的价格，但在12英寸代工价格，台积电已从7纳米、10纳米 、28纳米、40纳米到55纳米的晶圆代工价格，将全部取消往年的折让，这对客户端将造成成本压力。针对此消息，台积电今（14）日表示，该不评论市场传闻，也不回应价格问题。晶圆代工产能吃紧，法人先前在台积电法说会上询问是否会涨价，当时

　　据台媒报道，里昂证券发布报告指出，iPhone 12上游拉货过度积极，苹果已正式启动首波砍单，首当其冲的就是晶圆代工大台积电，该明年5纳米产能利用率恐会下滑。里昂虽重申台积电“买进”评级，并维持目标价新台币600元，长线看好台积电，但短线来看，台积电仍有库存调整杂音，直到明年库存正式调整完毕。另外，里昂证券亚洲科技产业部门研究主管侯明孝表示，iPhone 12上游过度积极拉货，首波砍单已开始对上游供应链产生冲击。以台积电为例，今年供给iPhone 12及新款iPad的A14芯片产量高达1亿至1.1亿颗，不过下游供应链对今年新机货量仅约7000至7500万部。苹果首波砍单展开后，效应恐将续到明年上半年，预计台积电在今年第4季

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